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技術創新，質量質上，用戶至上真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。
為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。
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